555-575 W monokristālisks saules panelis

Elektronu un caurumu rekombinācija uz virsmas un jebkuras saskarnes ir galvenais faktors, kas ierobežo šūnu efektivitāti, un
ir izstrādātas dažādas pasivācijas tehnoloģijas, lai samazinātu rekombināciju, sākot no agrīnās stadijas BSF (Back Surface Field) līdz šobrīd populārajām PERC (Passiveed Emitter and Rear Cell), jaunākajām HJT (Heterojunction) un mūsdienās TOPCon tehnoloģijām.TOPCon ir uzlabota pasivācijas tehnoloģija, kas ir saderīga gan ar P-tipa, gan ar N-tipa silīcija plāksnēm un var ievērojami uzlabot šūnu efektivitāti, audzējot īpaši plānu oksīda slāni un leģētu polisilīcija slāni šūnas aizmugurē, lai izveidotu labu saskarnes pasivācija.Tiek lēsts, ka, apvienojot to ar N-veida silīcija plāksnēm, TOPCon elementu augšējā efektivitātes robeža ir 28,7%, kas pārsniedz PERC līmeni, kas būtu aptuveni 24,5%.TOPCon apstrāde ir vairāk saderīga ar esošajām PERC ražošanas līnijām, tādējādi līdzsvarojot labākas ražošanas izmaksas un augstāku moduļa efektivitāti.Paredzams, ka TOPCon nākamajos gados kļūs par galveno šūnu tehnoloģiju.